यहां बनी दुनिया की सबसे तेज फ्लैश मेमोरी, किस तरह होगी यह उपयोगी?
क्या है खबर?
चीन के फूडन विश्वविद्यालय के वैज्ञानिकों ने एक बेहद छोटी डिवाइस 'पोक्सियाओ' बनाई है, जो अब तक की सबसे तेज फ्लैश मेमोरी है।
यह डिवाइस एक सेकंड के खरबों हिस्से यानी 400 पिकोसेकंड में डाटा मिटा और दोबारा लिख सकती है। यह गति सामान्य फ्लैश मेमोरी से 1 लाख गुना तेज है।
वैज्ञानिकों का दावा है कि यह तकनीक भविष्य में आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस (AI) और कंप्यूटर की रफ्तार को बहुत अधिक बढ़ा सकती है।
सीमाएं
मौजूदा मेमोरी की सीमाएं और नया हल
आज की DRAM जैसी मेमोरी तकनीकें बहुत तेज होती हैं, लेकिन इनमें डाटा सुरक्षित नहीं रह पाता। दूसरी तरफ, फ्लैश मेमोरी जैसे विकल्प डाटा को लंबे समय तक सुरक्षित रखते हैं, लेकिन उनकी स्पीड काफी कम होती है।
वैज्ञानिकों ने इस नई डिवाइस में दोनों का फायदा देने की कोशिश की है। इसमें ऐसा नया तरीका अपनाया गया है, जिससे इलेक्ट्रॉन सीधे तेजी से काम करने लगते हैं और समय बर्बाद नहीं होता।
यह बड़ी सफलता मानी जा रही है।
काम
कैसे काम करती है नई तकनीक '2D इंजेक्शन'?
शोधकर्ताओं ने फ्लैश मेमोरी को तेज करने के लिए '2D-एन्हांस्ड हॉट-कैरियर इंजेक्शन' नाम की तकनीक अपनाई है।
इससे इलेक्ट्रॉन बिना रुकावट सीधे तेज गति से मूव करते हैं और डाटा तेजी से लिखा-मिटाया जा सकता है। टेस्ट में यह नई डिवाइस दुनिया की सबसे तेज मेमोरी SRAM से भी तेज निकली।
इसकी काम करने की गति 400 पिकोसेकंड तक पहुंची, जो आज की फ्लैश मेमोरी के मुकाबले कई गुना तेज है।
भविष्य
भविष्य में कैसा दिखेगा इसका असर?
फूडन यूनिवर्सिटी के अनुसार, इस तकनीक को आने वाले 5 साल में मेगाबाइट स्तर तक बढ़ाया जा सकता है और बाजार में लाया जाएगा।
एक बार यह बड़े पैमाने पर तैयार हो गई तो कंप्यूटर में मेमोरी और स्टोरेज का फर्क ही खत्म हो सकता है। इससे AI मॉडल्स को तेजी से चलाया जा सकेगा।
यह तकनीक पर्सनल कंप्यूटर से लेकर बड़े सर्वर तक सबकी रफ्तार और क्षमता को पूरी तरह बदल सकती है।